[发明专利]分栅式闪存器件及其制备方法、电子设备

摘要

本发明涉及一种分栅式闪存器件及其制备方法、电子设备，包括获取依次形成有栅介质层薄膜、浮栅多晶硅薄膜的衬底；在浮栅多晶硅薄膜上形成硬掩膜层薄膜；刻蚀硬掩膜层薄膜，在浮栅预设区域形成不少于2个开口，开口露出部分浮栅多晶硅薄膜；进行热氧化工艺，在浮栅预设区域的浮栅多晶硅薄膜中形成场氧层，场氧层的底部与浮栅多晶硅薄膜的底部之间的距离不小于预设距离；进行刻蚀工艺，去除衬底上的硬掩膜层薄膜，以及浮栅预设区域之外的栅介质层薄膜、浮栅多晶硅薄膜，获取由剩余栅介质层薄膜、剩余浮栅多晶硅薄膜构成的浮栅结构；在衬底上形成隧穿氧化层。在场氧层底部与浮栅多晶硅薄膜的底部之间的距离不变的情况下，获得一个更好的擦除性能。