[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备有效

专利信息
申请号: 202010898894.6 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN112186040B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 李永亮;程晓红;王文武 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;B82Y40/00;B82Y10/00
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 何丽娜;王胜利
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了半导体器件及其制造方法、电子设备,涉及半导体技术领域,在不采用内侧墙工艺的情况下,有效控制栅长。该半导体器件包括半导体衬底、沟道区、源/漏外延层、栅堆叠和衬垫层。沟道区包括多层纳米结构。源/漏外延层形成在沟道区的两端。栅堆叠包括环绕在所述纳米结构外围的第一栅堆叠,以及填充在牺牲栅所在区域的第二栅堆叠。衬垫层至少包括位于沟道区以及第一栅堆叠与源/漏外延层之间的第一衬垫层。第一衬垫层与第一栅堆叠的接触面凸出于第一衬垫层与沟道区的接触面。第一栅堆叠的长度小于纳米结构的长度。本发明还提供一种半导体器件的制造方法。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。
搜索关键词: 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子设备
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