[发明专利]MOS管的保护电路在审
| 申请号： | 202010900849.X | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112104348A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 曾勇平;范文华;周升 | 申请（专利权）人： | 深圳市优必选科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 刘永康 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及过流保护领域，提供了一种MOS管的保护电路，包括：采样放大电路，与所述MOS管连接，用于对所述MOS管的电流进行采样并放大，输出电流采样电压；比较电路，与所述采样放大电路连接，用于将所述电流采样电压与一基准电压比较，根据比较结果输出控制信号；锁存电路，连接在所述比较电路和所述MOS管的驱动芯片之间，所述锁存电路用于基于所述控制信号和PWM信号控制所述驱动芯片驱动所述MOS管的通断，以控制其电流在一定阈值以下。通过采样并放大MOS管的电流，将采样电压和基准电压比较，根据比较结果对驱动MOS管的PWM信号进行锁存或释放，控制MOS管的电流在一定阈值以下，实现对MOS管的过流保护，提高MOS管的寿命和电路安全性。 | ||
| 搜索关键词： | mos 保护 电路 | ||
【主权项】：
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