[发明专利]等离子体处理装置、处理方法及上部电极构造在审
| 申请号： | 202010905300.X | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN112447484A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 四本松康太;石桥淳治;佐佐木淳一;花冈秀敏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置，其用于对在基板的边缘区域产生的倾斜形状的随时间的变化进行抑制。该等离子体处理装置包括：腔室；下部电极，用于在所述腔室内放置基板；边缘环，布置于所述下部电极的周围；部件，布置于在所述腔室内与所述下部电极相对的上部电极的周围；气体供给部，向所述部件与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；以及高频供电部，向所述下部电极或所述上部电极施加用于生成所述处理气体的等离子体的高频电力，其中，所述部件具有内侧部件、以及位于所述内侧部件的外侧的外侧部件，所述外侧部件在径向上相对于所述边缘环位于外侧，所述外侧部件的至少一部分能够根据所述边缘环的消耗而在上下方向上移动。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 上部 电极 构造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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