[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202010905470.8 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113451508B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 手塚隆太;野口充宏;筱智彰 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：半导体衬底；第1半导体层，在与半导体衬底的表面交叉的第1方向上与半导体衬底的表面对向；第2半导体层，相比第1半导体层距半导体衬底较远，在第1方向上与第1半导体层对向；第1导电层，相比第2半导体层距半导体衬底较远，连接于第2半导体层；第3半导体层，在与第1方向交叉的第2方向上与第2半导体层并排，连接于第1半导体层；及第2导电层，在第2方向上与第1导电层并排，连接于第3半导体层。第1半导体层、第2半导体层及第3半导体层是将与第1方向及第2方向交叉的第3方向作为长度方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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