[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010913134.8 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112490284A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 佐贯朋也;中塚圭祐;吉水康人 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L23/522;H01L21/768;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够降低基板与接触插塞的接触电阻的半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备基板，该基板包含两个元件区域，并且所述元件区域沿与所述基板的表面平行的第一方向延伸，并在与所述第一方向交叉的第二方向上相互邻接。所述装置还具备设于所述基板的上方的布线层。所述装置还具备设于所述基板与所述布线层之间的绝缘膜。所述装置还具备插塞，该插塞在所述绝缘膜内，沿所述第二方向、以及与所述第一方向及第二方向交叉的第三方向延伸，设于所述元件区域的各个上，并与所述元件区域及所述布线层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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