[发明专利]一种快速离化器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010914778.9 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112071898B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 梁琳;黄鑫远 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 彭翠;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于脉冲功率半导体器件领域，更具体地，涉及一种快速离化器件及其制备方法。该快速离化器件包括依次相邻设置的金属化阴极、高掺杂n+区、阴极侧高掺杂p+短路点、p基区、n‑基区、n型促离化层、阳极侧高掺杂n+短路点、高掺杂p+区、金属化阳极。本发明通过在FID器件结构中引入较n‑基区更高的掺杂浓度的n型促离化层，通过限制n‑基区空间电荷区的扩展，进而限制了碰撞电离前沿需要穿越的区域宽度，减小了碰撞电离前沿穿越的范围，减少了碰撞电离前沿传播的时间，从而提高了器件的开通速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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