[发明专利]P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法在审
| 申请号： | 202010915777.6 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN111816554A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 袁声召;崔艳峰;庄宇峰;于元元;胡玉婷;杨斌;张文超;万义茂 | 申请（专利权）人： | 东方日升新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王丽莎 |
| 地址： | 315600 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法。在背面沉积有隧穿氧化层及多晶硅薄膜的P型硅片的正面金属区域印刷硼浆；然后利用激光将硼浆中的硼打入硅中。本申请采用硼浆作为硅片正面局域重扩的硼源，然后利用激光将硼浆中的硼打入硅中，能够在P型背结接触钝化电池的正面形成局域重扩区域以形成欧姆接触，从而提高P型背结接触钝化电池的转换效率。而且本申请采用硼浆作为硅片正面局域重扩的硼源，能够极大地降低P型背结接触钝化电池的生产成本，适于产业化。利用激光将硼浆中的硼打入硅中，工艺步骤简单，操作性强。 | ||
| 搜索关键词： | 型背结 接触 钝化 电池 正面 局域 方法 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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