[发明专利]一种半导体器件结构的制造方法在审
| 申请号： | 202010918074.9 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN114141710A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 金宗范;周娜;李俊杰;杨涛;王文武;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体结构中字线的制造方法，包括：提供半导体衬底，并在半导体衬底上形成字线凹槽；在所述字线凹槽依次沉积栅氧化层、扩散阻挡层；在所述字线凹槽填充导电材料；平坦化所述导电材料；采用循环刻蚀工艺回刻所述导电材料，使得所述导电材料的表面低于所述半导体衬底的表面。本申请的采用循环刻蚀工艺进行导电材料回刻，以解决在回刻钨等字线导电材料过程中容易发生的对层间介质层和半导体衬底的不期望的刻蚀，进而解决有源区减少和短沟道效应等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
