[发明专利]一种封装体成型方法在审
| 申请号： | 202010921534.3 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111987002A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 吴涛;岳茜峰;吕磊 | 申请（专利权）人： | 长电科技（滁州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 侯晔 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州市经济技*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种封装体成型方法，属于半导体封装领域。本发明的方法为：对基材进行蚀刻得到若干个封装单元，每个封装单元包括基岛和引脚，封装单元之间通过连接筋连接；再对蚀刻后的基材上表面进行电镀得到第一镀层；安装芯片并进行塑封，再对基岛和引脚的下表面进行电镀得到第二镀层；之后切割连接筋，使得连接筋两侧的引脚的侧面露出，且连接筋未切断；再对未切断的连接筋进行蚀刻，使得第一镀层露出且使得露出的引脚侧面呈凹弧状；之后对露出的引脚侧面进行镀锡。本发明克服了现有技术中，无法实现密间距、高厚度基材产品的侧面镀锡的不足，本发明可以实现密间距、高厚度基材产品的侧面镀锡，可以满足密间距、厚基材的产品侧面镀锡需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 成型 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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