[发明专利]半导体结构及其制作方法、控制方法在审
申请号: | 202010921763.5 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN114141772A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 陈涛;施志成 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242;G11C5/02;G11C5/06 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本公开涉及存储技术领域,提出一种半导体结构及其制作方法、控制方法,该半导体结构包括衬底基板、多条位线、多个主动体、绝缘体、多条字线。绝缘体位于所述衬底基板的一侧;多条位线设置于所述绝缘体内,多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸;多个所述主动体位于所述位线背离所述衬底基板的一侧,主动体在衬底基板的正投影与位线在衬底基板的正投影至少部分重合,且沿所述第二方向上间隔分布;多条字线位于所述绝缘体内,且位于所述位线背离所述衬底基板的一侧,所述字线沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸,且在第二方向上的两相邻所述主动体之间仅设置一条所述字线。该半导体结构能够在有限的空间集成较多的存储单元。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制作方法 控制 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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