[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010922723.2 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN114141641A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 黄晨;蔡孟峯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 纪婷婧 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，其中半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底包括多个芯片区域以及用于分隔所述芯片区域的切割道；切割道内形成有测试结构，测试结构包括有源区和连接结构，有源区形成于半导体衬底内，连接结构位于有源区的端部，通过连接结构将位于同一列上的多个有源区依次首尾连接；测试结构用于位线接触电阻测试。本实施例中，半导体器件在切割道内设置有用于测试位线接触电阻的测试结构，通过位于有源区的端部的连接结构将位于同一列上的多个有源区依次首尾连接，进而得到位于同一列上的多个位线接触电阻与有源区的阻值之和，解决了因浅沟槽隔离结构异常所导致的测量不准确的问题，提高测试准确度，进而提高产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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