[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 202010922808.0 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112018080B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 詹益旺;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过在位线接触部的侧壁上形成低介电常数的第一侧壁氧化层，以用于对位线接触部的侧壁进行隔离，相应的降低了相邻位线之间的介质材料的整体介电常数，有利于改善相邻位线之间的寄生电容。并且，在位元线的至少部分侧壁上还形成有侧壁氮化层，从而可以在侧壁氮化物层隔离保护下，避免位元线被氧化的问题，保障位元线的电性传导性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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