[发明专利]一种FPGA芯片的RAM存储区单粒子效应容错方法有效
| 申请号： | 202010932131.9 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112181709B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 崔玉;周华良;郑玉平;叶海;王海全;张家森;姜雷;甘云华;李友军;刘拯 | 申请（专利权）人： | 国电南瑞科技股份有限公司;国电南瑞南京控制系统有限公司;国网江苏省电力有限公司;国家电网有限公司华东分部;国家电网有限公司;南瑞集团有限公司;国网电力科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F11/14 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211106 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FPGA芯片的RAM存储区单粒子效应容错方法，通过压缩冗余方式实现了全存储区任意比特的单粒子效应错误检测，并基于流水线方式对单位长度数据进行校验码计算，在单个时钟周期内完成校验码生成与比较，达到数据的快速检错与即时纠错目的。本发明所述方法消耗的硬件资源少，实时性能较高，适用于FPGA芯片存储区数据的错误恢复，可提高设计可靠性，进而保证了电力二次设备系统的运行性能与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fpga 芯片 ram 存储 粒子 效应 容错 方法 | ||
【主权项】：
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