[发明专利]一种可优化延时的纳米CMOS电路容错映射方法在审
| 申请号： | 202010932270.1 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112214946A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 夏银水;查晓婧 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G06F30/327 | 分类号： | G06F30/327;G06F111/14 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 谢潇 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可优化延时的纳米CMOS电路容错映射方法，针对采用现有容错映射方法实现正确逻辑功能的纳米CMOS电路中存在的时延性能较差、求解速度与质量不佳等问题，在缺陷纳米CMOS电路的映射约束下，提供一种可优化延时的纳米CMOS电路容错映射方法。本发明容错映射方法对传统的纳米CMOS电路的映射流程进行优化，新增逻辑级对待映射逻辑电路的划分技术以及物理级的以原始输入为对象的预规划技术，将逻辑电路以路径树为单位，采用两种映射模式映射至纳米CMOS电路中预规划区域中以优化各路径延时，并通过寻找可用缺陷单元以提高映射成功率，在快速消除缺陷对纳米CMOS电路逻辑功能的影响的基础上，时延映射电路延时性能的优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 延时 纳米 cmos 电路 容错 映射 方法 | ||
【主权项】：
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