[发明专利]一种镀镍覆铜基板及其阻焊方法在审
| 申请号： | 202010936177.8 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112038240A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张军;叶晓飞;席亚莉;黄栋;史海林;孟彬;曹五星;李晔 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种镀镍覆铜基板及其阻焊方法，阻焊方法包括以下步骤，步骤1，根据镀镍覆铜基板上元器件布局设计阻焊图形；步骤2，依据阻焊图形对镀镍覆铜基板上相邻的元器件之间进行激光阻焊，在镍层上产生热影响区，形成阻焊沟槽。通过对化学镀或电镀镍层上两个相邻的元器件之间采用激光刻蚀出指定宽度和深度的沟槽，激光在进行刻蚀过程中，沟槽的开口两端存在热影响区，在沟槽及热影响区内的镍层在高温下均被氧化，表现出对焊锡不浸润的现象，可以对刻蚀沟槽两侧的元器件起到阻焊效果，能够起到阻止两个相近元器件偏移、桥连的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镀镍覆铜基板 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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