[发明专利]功率MOS驱动电路在审
| 申请号： | 202010937236.3 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN114157278A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 雷晗;夏云凯 | 申请（专利权）人： | 西安鼎芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京万思博知识产权代理有限公司 11694 | 代理人： | 刘冀 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种功率MOS驱动电路，包括：第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3以及设置于第二NMOS晶体管NM2和第三NMOS晶体管NM3之间的钳位电路3，其中第二NMOS晶体管NM2的源极和第三NMOS晶体管NM3的漏极相连，用于产生输出控制方波；以及钳位电路3用于限制输出控制方波的高电平。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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