[发明专利]一种存储器的数据读写方法及相关设备在审

专利信息
申请号: 202010947859.9 申请日: 2020-09-10
公开(公告)号: CN112068781A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 谢长华 申请(专利权)人: 深圳芯邦科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/10
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 李杭
地址: 518000 广东省深圳市坪山区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请提供了一种存储器的数据读写方法及相关设备,可将NandFlash容量利用最大化,同时可以容纳更多ECC冗余数据,提升纠错能力,增强NandFlash数据稳定性。该方法包括:获取针对于存储器的读取指令或写入指令,所述读取指令或所述写入指令与目标数据相对应;确定所述存储器的坏列位置信息,所述存储器的坏列位置信息指示所述存储器中的比特坏列的位置信息;响应所述读取指令或所述写入指令,根据所述坏列位置信息对所述目标数据进行读取操作或写入操作。
搜索关键词: 一种 存储器 数据 读写 方法 相关 设备
【主权项】:
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