[发明专利]Micro-LED芯片的转移方法在审
| 申请号： | 202010947974.6 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112071795A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陆骅俊 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/67;H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种Micro‑LED芯片的转移方法，所述Micro‑LED芯片的转移方法包括以下步骤：提供第一基板，所述第一基板上设有多个第一电极；提供第二基板，所述第二基板上设有多个第一Micro‑LED芯片，多个所述第一Micro‑LED芯片与多个所述第一电极对应设置；将多个所述第一Micro‑LED芯片与多个所述第一电极进行键合；去除所述第二基板。本发明的Micro‑LED芯片的转移方法，提高了第一Micro‑LED芯片的转移效率和转移精度，从而提高了最终制造得到的Micro‑LED显示器的生产周期和良率，节省了Micro‑LED显示器的制造成本，使其适于量产。 | ||
| 搜索关键词： | micro led 芯片 转移 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司，未经TCL华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010947974.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
