[发明专利]一种沟槽MOSFET的制作方法在审
| 申请号： | 202010948833.6 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112053957A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 叶垚平;李立 |
| 地址： | 518049 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽MOSFET的制作方法，所述制作方法如下：在衬底的上表面生长外延层；在外延层之中形成沟槽；采用高温氧化的工艺方法在沟槽的表面生长栅氧化层，然后淀积多晶硅；去除掉沟槽之外的多晶硅，然后在外延层的表层之中注入硼原子，以及对预设区域的外延层的表层之中注入砷原子或(和)锑原子；高温退火形成P型扩散区和N型扩散区，且N型扩散区位于P型扩散区的表层之中；本发明的有益效果是：本发明减少了高温处理工艺，从而减小了高温处理工艺过程中衬底中的掺杂物质向外延层中的扩散，因此可以得到比现有技术更高的击穿电压，或在实现同样击穿电压的情况下可以得到更小的单位面积导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
