[发明专利]二极管及其半导体结构在审
| 申请号： | 202010950252.6 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN114171494A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 曹太和;戴昆育;颜承正 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及二极管及其半导体结构，二极管实施于一半导体结构，并包含基板、第一导体、第二导体、第三导体及第四导体。基板包含一第一掺杂区及一第二掺杂区，其中该第一掺杂区用作该二极管的一第一电极，该第二掺杂区用作该二极管的一第二电极。第一导体位于该半导体结构的一第一导体层，且连接该第一掺杂区。第二导体位于该半导体结构的一第二导体层，且连接该第一导体。第三导体位于该半导体结构的该第一导体层，且连接该第二掺杂区。第四导体位于该半导体结构的该第二导体层，且连接该第三导体。在该半导体结构的一侧视图中，该第一导体与该第三导体的重叠面积大于该第二导体与该第四导体的重叠面积。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞昱半导体股份有限公司，未经瑞昱半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010950252.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
