[发明专利]预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法有效
| 申请号： | 202010958481.2 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112185820B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 袁明;程刘锁;范晓;王函;陈广龙;米魁;李伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法。所述预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，包括以下步骤：步骤S1：提供带有焊盘结构的半导体集成电路器件，所述焊盘结构上形成焊盘氧化层，所述焊盘结构的表层中和所述焊盘氧化层中含有氟离子；步骤S2：通过刻蚀剂，刻蚀去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层；步骤S3：进行氧化工艺，在去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层后的所述焊盘结构上，形成保护氧化层。本申请可以预防相关技术中集成电路器件焊盘出现结晶缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 预防 集成电路 器件 盘结 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
