[发明专利]用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010962938.7 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112115671A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 赵丙南 | 申请（专利权）人： | 纳瓦电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F115/12 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 孟湘明;刘敏慧 |
| 地址： | 200335 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了提供一种用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构及其形成方法，其中所述用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构包括一处理器，所述处理器包括至少一时钟信号端、一功能模块、一脉冲宽度调制信号端口以及一IO端口，其中所述功能模块与所述时钟信号端电性连接，所述脉冲宽度调制信号端口和所述IO端口之间电性连接一线路而形成至少一抵消回路，从而抵消所述时钟信号端与所述功能模块之间电性连接而产生的电磁辐射。通过本发明所述用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构不仅能够利用处理器内部的元件实现电磁场抵消，从而实现处理器时钟信号端电磁辐射的改善，而且不会产生额外的电磁辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 处理器 时钟 信号 电磁辐射 电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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