[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质在审
| 申请号： | 202010963604.1 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113451169A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 大桥直史;稻田哲明 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。本发明能够将副产物除去并抑制颗粒的产生。本发明的基板处理装置具有处理基板的处理室和基板支撑部，该基板支撑部设置在处理室内并具有多个载置基板的载置部；所述处理室具有向基板供给处理气体的处理区域和对基板进行吹扫的吹扫区域，吹扫区域具有以第一压力进行吹扫的第一吹扫区域和以比第一压力高的第二压力进行吹扫的第二吹扫区域。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
