[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010965138.0 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN114188413A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；沟道结构层，位于所述鳍部上且与所述鳍部间隔设置，所述沟道结构层包括一个或多个间隔设置的沟道层；器件栅极结构，横跨所述鳍部和沟道结构层且包围所述沟道层；源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构层和鳍部中；层间介质层，位于所述源漏掺杂层的顶部，且覆盖所述器件栅极结构的侧壁。所述源漏掺杂层还位于鳍部中，从而增大了源漏掺杂层的体积，相应增加了源漏掺杂层产生的沟道应力，进而提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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