[发明专利]电子器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010967394.3 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112670348A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈伟泽;M·格瑞斯伍尔德 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L27/092;H01L27/088;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“电子器件及其形成方法”。本发明公开了一种电子器件。电子器件可以包括JFET，该JFET可以包括漏极接触区域、与该漏极接触区域间隔开的沟道区域以及与该沟道区域相邻的栅极区域。在一个实施方案中，该栅极区域包括相对较重掺杂部分和更靠近该漏极接触区域的相对较轻部分。在另一个实施方案中，栅极场电极可以延伸超过场隔离结构并覆盖在该JFET的沟道上面。在另一个实施方案中，具有相对较低掺杂物浓度的区域可以沿着导电路径的漏极侧，其中该区域位于两个其他更重掺杂区域之间。在另一实施方案中，可以使用交替的导电沟道区域和栅极区域来允许横向和竖直夹断该导电沟道区域。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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