[发明专利]一种存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供的一种存储器件及其制造方法，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的第一底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极，第二器件结构包括依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极，第一底电极与第二底电极连接，第一顶电极和第二顶电极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构的隧道结中，隧道结中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。