[发明专利]TFT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010972995.3 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112071916A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 聂晓辉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/552;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，该TFT器件至少包括衬底、嵌设于衬底内的折射层、位于折射层表面的遮光层、覆盖遮光层的缓冲层以及位于缓冲层表面的有源层；折射层包括阵列分布的反射块，反射块一端嵌设衬底的内部，另一端贴合于遮光层表面，反射块内填充有金属钼，当外界光线照射到反射块表面时，会发生全反射，射出衬底，降低光透率同时增强反射面光反射，提高遮光能力，降低TFT光生漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | tft 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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