[发明专利]一种基于变密度法的应力和应变能双约束的拓扑优化方法在审
| 申请号： | 202010973847.3 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112100774A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 宋欣;沈华;陈龙宝 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | G06F30/17 | 分类号： | G06F30/17;G06F30/23;G06F111/04;G06F119/14 |
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| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于变密度法的应力和应变能双约束的拓扑优化方法，基于变密度法及SIMP材料插值模型，利用有限元方法计算结构的应变能和单元的米塞斯应力，以结构体积最小作为目标函数，以结构整体应变能为约束，并以P范数方法将结构的单元应力凝聚成一个全局应力约束，构建了包含应力和应变能双约束的拓扑优化模型，计算了目标函数及约束函数相对于设计变量的灵敏度，利用移动渐近线法求解了拓扑优化问题，反复迭代直至满足收敛条件，得到最优拓扑结构，本发明利用应力和应变能双约束拓扑优化方法进行结构的拓扑优化，避免了传统拓扑优化方法所得的拓扑结构无法满足强度或刚度条件的问题，拓扑优化获得的拓扑结构满足预设的结构静强度和刚度条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 密度 应力 应变 约束 拓扑 优化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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