[发明专利]竖直型非易失性存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010975063.4 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113053907A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 具利恩;李允雅;金善煐;朴庆宰;朴钟炫;李宝罗;任钟皓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种竖直型非易失性存储器装置及其制造方法，该竖直型非易失性存储器装置包括：衬底，其具有块单元的单元阵列区域和扩展区域；竖直接触件，其设置在扩展区域中；多个竖直沟道结构，其设置在在单元阵列区域中的衬底上；多个伪沟道结构，其设置在扩展区域中的衬底上；以及多个栅电极层和多个层间绝缘层，其交替地堆叠在衬底上。在连接至竖直接触件的电极焊盘中，伪沟道结构设置在竖直接触件的两侧，并且多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有在一个方向上更长的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 非易失性存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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