[发明专利]一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法在审

专利信息
申请号: 202010979691.X 申请日: 2020-09-17
公开(公告)号: CN112034677A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 杨国栋;刘辉;袁可 申请(专利权)人: 合肥晶合集成电路有限公司
主分类号: G03F1/42 分类号: G03F1/42;G03F9/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 朱艳
地址: 230012 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法,其至少包括以下步骤:提供第一材料层;在第一材料层上形成第一标记组,第一标记组为中心对称图形;在第一材料层上形成第二材料层在所述第二材料层上形成与所述第一标记组对应的第二标记组,所述第二标记组为中心对称图形;所述第二标记组与所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上在所述第二材料层上形成第三材料层;在所述第三材料层上形成与所述第一标记组和所述第二标记组对应的第三标记组,所述第三标记组为中心对称图形;所述第三标记组与所述第二标记组和所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上。本发明解决了现有的三层套刻需要多个掩模版,且对准精度差,占用结构空间的问题。
搜索关键词: 一种 标记 方法 测量方法
【主权项】:
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