[发明专利]一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法在审
申请号: | 202010979691.X | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN112034677A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 杨国栋;刘辉;袁可 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 朱艳 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法,其至少包括以下步骤:提供第一材料层;在第一材料层上形成第一标记组,第一标记组为中心对称图形;在第一材料层上形成第二材料层在所述第二材料层上形成与所述第一标记组对应的第二标记组,所述第二标记组为中心对称图形;所述第二标记组与所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上在所述第二材料层上形成第三材料层;在所述第三材料层上形成与所述第一标记组和所述第二标记组对应的第三标记组,所述第三标记组为中心对称图形;所述第三标记组与所述第二标记组和所述第一标记组的对称中心位于同一垂直线上。本发明解决了现有的三层套刻需要多个掩模版,且对准精度差,占用结构空间的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 标记 方法 测量方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥晶合集成电路有限公司,未经合肥晶合集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010979691.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种数学教学用旋转演示装置
- 下一篇:一种减震可折叠长途运输转运料架
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备