[发明专利]一种氧空位修饰的多孔镍钴氧化物纳米带材料及制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010987158.8 申请日: 2020-09-18
公开(公告)号: CN112058267A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 张勇;姚尚智;吴玉程;张雪茹;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;周志尚 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: B01J23/755 分类号: B01J23/755;B01J35/10;B01J37/10;B01J37/08;C01G53/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C25B11/06;C25B1/04
代理公司: 合肥市道尔知识产权代理有限公司 34169 代理人: 司贺华
地址: 230000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料的制备方法,镍钴氧化物原纳米带上原位长大为平均尺寸为15~20nm的纳米颗粒,形成宽度为100~150nm并具有平均孔径为5~7nm的介孔的氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料。具体步骤如下:以六水硝酸镍和六水硝酸钴为镍源和钴源,以合适比例的去离子水和乙二醇为溶剂,先采用水热法合成草酸镍钴前驱体纳米带,然后在空气中煅烧后得到镍钴氧化物,最后通入氮气在管式炉中烧结得到氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料。本发明的氧空位修饰多孔镍钴氧化物纳米带材料比表面积较大,导电性较高,用作析氧反应的电催化材料时,极大改善了电化学性能,并具有良好的电化学稳定性。
搜索关键词: 一种 空位 修饰 多孔 氧化物 纳米 材料 制备 方法 应用
【主权项】:
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