[发明专利]光栅器件掩膜版及制造方法有效

专利信息
申请号: 202010989082.2 申请日: 2020-09-18
公开(公告)号: CN112071824B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 陈宏;王卉;曹子贵;杨辉 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/78;G03F1/42
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种光栅器件掩膜版及制造方法,所述光栅器件掩膜版包括:单元掩膜版和对准标记掩膜版,所述单元掩膜版包括多个单元图形和多个切割道图形,多个所述切割道图形分别形成于多个所述单元图形周围,以隔离多个所述单元图形。所述对准标记掩膜版包括多个对准标记图形,所述对准标记图形对准所述切割道图形,并与所述单元图形相间隔。在光栅器件的制造方法中,采用所述光栅器件掩膜版,定义半导体衬底的单元区和切割道,并形成位于所述切割道内的对准标记;然后,通过所述对准标记,沿所述切割道对半导体衬底执行划片工艺,以形成多个器件单元,由此,通过所述对准标记切割所述半导体衬底,避免在执行所述划片工艺时发生偏离。
搜索关键词: 光栅 器件 掩膜版 制造 方法
【主权项】:
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