[发明专利]带隙基准电路在审
| 申请号： | 202010995963.5 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111966157A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 关宇恒;唐重林 | 申请（专利权）人： | 牛芯半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种带隙基准电路，包括带隙基准主体电路和带隙基准控制电路，带隙基准主体电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，第一PMOS管的源极连接电源，第二PMOS管的源极连接电源，第二PMOS管的栅极连接第一PMOS管的栅极作为检测点，带隙基准控制电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和调节单元，第三PMOS管的源极连接电源，第三PMOS管的栅极连接检测点，第四PMOS管的源极连接第三PMOS管的漏极，第四PMOS管的栅极连接第一使能信号，若检测点的电压为高电平，第一NMOS管的漏极连接第四PMOS管的漏极，第一NMOS管的栅极连接检测点，调节单元的输入端连接第四PMOS管的源极，调节单元的输出端连接检测点，调节单元的输入端接入低电平，调节单元的输出为低电平，检测点的电平变低。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电路 | ||
【主权项】：
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