[发明专利]在硅衬底和封装衬底上耦合高带宽存储器设备的技术在审
| 申请号： | 202010998120.0 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN113096699A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | C·J·赵;J·A·麦考尔;S·富岛;G·韦尔吉斯;K·S·贝恩斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于将高带宽存储器设备耦合在硅衬底和封装衬底上的技术。示例包括基于操作模式选择性地激活在高带宽设备的逻辑层的底侧上的输入/输出(I/O)触点或者命令和地址(CA)触点。I/O触点和CA触点用于经由一个或多个数据通道对包括在所述高带宽存储器设备中的一个或多个存储器设备进行存取。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 封装 耦合 带宽 存储器 设备 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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