[发明专利]一种量子点层图案化的方法、量子点层及QLED器件有效
| 申请号： | 202010999884.1 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112071999B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 钱玲芝;方龙;王允军 | 申请（专利权）人： | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K50/11;H10K50/844 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种量子点层图案化的方法，包括以下步骤：S1、对载流子传输层进行防水保护；S2、在经过防水保护的载流子传输层上涂布量子点光刻胶溶液，光刻得到图案化的量子点层；其中所述量子点光刻胶溶液包括量子点和光刻胶。本发明一种量子点层图案化的方法、量子点层及QLED器件，通过将光刻胶与量子点混合，使得量子点隔绝水氧，再采用光刻的方法，制备出图案化的量子点层，制备工艺简单；此外还对载流子传输层的防水保护，提高了载流子传输层的耐水性，减小了光刻过程中的光刻损害，提高了器件的效率；此外光刻工艺制作的分辨率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 图案 方法 qled 器件 | ||
【主权项】：
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