[发明专利]一种抗PID太阳能电池片的制备方法在审
申请号: | 202011002884.6 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN111969083A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 黄调调 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 熊亮亮 |
地址: | 314205 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种抗PID太阳能电池片的制备方法,依次包括有以下步骤:硅片预清洗、高温磷扩散、湿法刻蚀、臭氧处理、热氧化处理、背面镀膜处理、正面PECVD镀膜处理、激光开槽、丝网印刷和烧结。本发明的抗PID太阳能电池片的制备方法,无需增加任何设备,采用相对简单的工艺,兼顾了多层减反射膜的优势,同时增加减反射膜表面钝化效果,提高了太阳能电池片的转化效率同时降低电池片的PID效应。 | ||
搜索关键词: | 一种 pid 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的