[发明专利]NORD闪存器件的制作方法有效
| 申请号： | 202011007241.0 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112185972B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 张剑;熊伟;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种NORD闪存器件的制作方法，包括：对衬底上的衬垫氧化层进行刻蚀去除，衬底所在的平面包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区之间形成有STI结构；在衬底上形成第一栅氧层；通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺对第一栅氧层进行刻蚀去除；在衬底上形成第二栅氧层，第二栅氧层的厚度小于第一栅氧层的厚度；在第二栅氧层和STI结构上形成多晶硅层；对多晶硅层进行刻蚀，在第一有源区形成第一栅极，在第二有源区形成第二栅极。本申请通过在NORD闪存器件的制作过程中，通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺对第一栅氧层进行去除能够使STI结构刻蚀的凹坑深度较浅，从而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | nord 闪存 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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