[发明专利]FinFET接触结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011008140.5 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN112201627A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 吴明园;林彦伯;吕侑珊;许哲源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/306;H01L21/3065;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/165;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域具有凹面；第二栅极结构，位于第二部分上；以及第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，位于第二部分中且位于第二栅极结构的相对侧，其中，第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域具有凹面。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 接触 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
