[发明专利]蚀刻痕的优化方法及导电膜有效
| 申请号： | 202011016910.0 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112309634B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 孟祥浩 | 申请（专利权）人： | 苏州思尔维纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;G06F3/041;C23C8/00 |
| 代理公司： | 苏州衡创知识产权代理事务所(普通合伙) 32329 | 代理人： | 王睿 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相城*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻痕的优化方法及导电膜，其中方法主要包括：获取待优化的导电膜，其中，所述导电膜包括内层导电银丝和外层银杂质；分别确定所述内层导电银丝和外层银杂质对应的第一吸收光谱和第二吸收光谱，其中，所述第一吸收光谱内的任一第一波长小于于所述第二吸收光谱内的任一第二波长；使用所述第二波长的激光辐射所述导电膜，使得所述导电膜的外层银杂质钝化，以使得所述导电膜的雾度降低，进而优化所述导电膜的蚀刻痕显示效果。粒子吸收光谱后，会表面等离子体共振，从而发生氧化，失去反射光泽，亦即钝化，从而实现降低雾度，减轻蚀刻痕。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 优化 方法 导电 | ||
【主权项】：
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