[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011017177.4 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114256140A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 呼翔 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底、沟道结构、电源轨道线、栅极结构、源漏掺杂区以及层间介质层；形成贯穿位于部分电源轨道线上的层间介质层的导电通孔，包括底部通孔和位于底部通孔上的顶部通孔；在底部通孔中形成与电源轨道线相接触的底部插塞；在底部插塞上形成填充顶部通孔的填充介质层；对层间介质层和填充介质层进行刻蚀，形成贯穿源漏掺杂区顶部的层间介质层的互连槽、以及暴露出顶部通孔；对顶部通孔和互连槽进行填充，形成位于顶部通孔中且与底部插塞相接触的顶部插塞、以及位于互连槽中且与源漏掺杂区相接触的源漏互连层，顶部插塞与底部插塞构成导电插塞。本发明实施例有利于增大形成Via‑BPR的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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