[发明专利]具有双厚度栅极电介质的场效应晶体管在审
| 申请号： | 202011017623.1 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112885902A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | A·卡尔;K·C·科柳鲁;N·A·汤姆森;M·阿姆斯特朗;S·贾扬塔约格勒卡尔;R·马;S·萨哈;H·J·柳;A·A·阿赫桑 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了具有双厚度栅极电介质的场效应晶体管的晶体管装置。示例晶体管装置包括半导体沟道材料；源极区和漏极区，设置在半导体材料中；以及栅极堆叠体，设置在半导体材料的在源极区与漏极区之间的部分上方。栅极堆叠体在更靠近源极区的部分中具有较薄的栅极电介质，并且在更靠近漏极区的部分中具有较厚的栅极电介质，这可以有效地实现与晶体管装置集成的可调镇流电阻，并且可以帮助增加晶体管的击穿电压和/或降低晶体管的栅极泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 厚度 栅极 电介质 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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