[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及阵列基板在审
| 申请号： | 202011026102.2 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112133636A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 邓永 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及阵列基板，该薄膜晶体管的制备方法通过在有源层上设置沟道区、源极区以及漏极区，并使源漏金属层中的源极对应于源极区，漏极对应于漏极区，通过对有源层对应于沟道区的部分进行氧化处理，使得有源层位于沟道区的部分的电阻高于有源层位于源极区和漏极区的部分的电阻。本申请提高了薄膜晶体管中有源层的迁移率，进而提高了薄膜晶体管器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
