[发明专利]半导体熔丝结构以及制造该半导体熔丝结构的方法在审
| 申请号： | 202011026352.6 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112599495A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | D·欧曼;J·W·霍尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768;H01L23/62;H01L27/112 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“半导体熔丝结构以及制造该半导体熔丝结构的方法”。一种具有熔丝结构的半导体器件包括具有主表面的半导体材料区域。介电区域位于主表面上方。第一熔丝端子位于介电区域的第一部分上方，第二熔丝端子位于介电区域的第二部分上方，并且与第一熔丝端子间隔开以提供间隙区域，并且熔丝主体位于介电区域的第三部分上方，插置在第一熔丝端子与第二熔丝端子之间并且连接到该第一熔丝端子和该第二熔丝端子。虚设结构位于间隙区域中的介电区域上方并位于熔丝主体的第一侧上，虚设结构与熔丝主体、第一熔丝端子和第二熔丝端子间隔开并且电隔离。虚设结构被配置为减少缺陷(诸如可源自熔丝结构的裂缝或空隙)的存在或减少缺陷的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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