[发明专利]三极管及其形成方法有效
| 申请号： | 202011039072.9 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151603B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 顾培楼 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L23/528;H01L21/331;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种三极管及其形成方法，该三极管包括：衬底，其中形成有集电区、发射区和基区；介质层，其形成于衬底上，介质层中形成有第一金属连线、第二金属连线和第三金属连线，第一金属连线的底端与集电区连接，第二金属连线的底端与发射区连接，第三金属连线的底端与基区连接；第二金属连线的特征尺寸小于第一金属连线，第二金属连线的特征尺寸小于第三金属连线，第二金属连线的特征尺寸小于0.18微米。本申请通过将三极管中与发射区连接的金属连线的特征尺寸降低至0.18微米以下，从而增加了发射区的发射效率，在不改变三极管的结构的基础上，提高了三极管的放大倍数。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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