[发明专利]Micro-LED巨量转移方法及装置在审
| 申请号： | 202011041106.8 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151437A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;雷宇;万泽洪 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/62 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种Micro‑LED巨量转移方法及装置，所述装置包括主体结构(100)，主体结构(100)上设有用于通入气体的气道(200)，主体结构(100)与施主基板贴合的面具有容纳所述施主基板上要转移的Micro‑LED(400)的第一凹槽，所述第一凹槽内壁设有充气状态下能与所述第一凹槽内Micro‑LED(400)接触以将其从所述施主基板上揭起的气囊(311)，气囊(311)与气道(200)流体连通。本公开利用气囊(311)与Micro‑LED(400)接触时的摩擦力实现Micro‑LED的选择性巨量转移。 | ||
| 搜索关键词： | micro led 巨量 转移 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
