[发明专利]金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011045949.5 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112234094B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 游步东;夏春新 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：基底；从所述基底的上表面延伸至其内的具有第一掺杂类型的源区；位于所述基底上表面的栅极结构，所述栅极结构至少裸露所述源区，以及位于所述基底上表面的具有第一掺杂类型的半导体层，所述半导体层被作为所述器件的部分耐压区，其中，所述源区位于所述栅极结构的第一侧，所述半导体层位于所述栅极结构的第二侧，所述栅极结构的第一侧和第二侧相对。本发明的金属氧化物半导体器件及其制造方法不仅减小了器件尺寸，且制造工艺简单，与CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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