[发明专利]利用隧道场效应管抑制漏电的混合非易失性随机存储器有效
| 申请号： | 202011047144.4 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112185445B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡浩;周永亮;李鑫;刘波 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/416 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了利用隧道场效应管抑制漏电的混合非易失性随机存储器，该随机存储器SRAM包括上电后存储数据的SRAM存储模块、断电前保存数据的磁隧道结(MTJ)写入路径、电源恢复后SRAM数据恢复路径、磁隧道结(MTJ)数据恢复路径，SRAM存储模块包含六个隧穿场效晶体应管(TFET)晶体管，即两个上拉集体管、两个下拉晶体管、两个数据传输晶体管；本发明利用了TFET的超低漏电和在超低电压下工作的的特性，能够实现非易失存储功能，达到整体电路漏电和SRAM唤醒功耗降低的目的。该结构利用了TFET的超低漏电和在超低电压下工作的的特性，使得整体电路漏电和SRAM唤醒功耗降低。此外，在MTJ写入速度以及电路唤醒功耗上也有一定的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 隧道 场效应 抑制 漏电 混合 非易失性 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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