[发明专利]图像传感器芯片级封装及制造方法有效
申请号: | 202011051168.7 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112652638B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 叶剑蝉;郭盈志 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于制造图像传感器芯片级封装的方法,包括用临时粘合剂将玻璃晶片接合至包括图像传感器阵列的器件晶片。该方法还包括通过从器件晶片中移除多个传感器间区域中的每个来形成隔离管芯晶片,每个传感器间区域均位于图像传感器阵列的相应一对图像传感器之间。隔离管芯晶片包括多个图像传感器管芯,每个图像传感器管芯均包括接合至玻璃晶片的图像传感器阵列的相应图像传感器。该方法还包括封装隔离管芯晶片以形成封装的管芯晶片;从多个图像传感器管芯中的每个中移除覆盖相应图像传感器的玻璃晶片的相应区域;以及将封装的管芯晶片单体化。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 芯片级 封装 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的