[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202011054657.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111933716B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 郑大燮 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS晶体管及其制造方法，本发明的LDMOS晶体管采用了连续沟槽型的源极场板，可以在不增加所感应的电荷量的情况下增加源极场板的长度，由此可以增加器件的电场分布长度，并改善电场分布，由此使得栅极和漏极之间的栅漏电容得以降低，器件的击穿电压得以提高。本发明的LDMOS晶体管的制造方法，工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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